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三星似乎了解内存存储的未来以及未来产品的需求，最新推出的 UFS 4.0 标准。他们正在测试他们在内部存储方面所能达到的极限，这对未来的产品来说是必不可少的。它确实为现有的 UFS 3.1 标准带来了更多的改进。

UFS 4.0 存储将配备三星自己的 Gen 7 V-NAND 闪存以及该公司自己的专有控制器。借助这种组合，UFS 4.0 标准将能够实现 4,200MB/s 的读取速度。这个数字明显高于我们在 3.0 标准上看到的数字。除此之外，新的 UFS 4.0 将能够产生高达 2,800MB/s 的写入速度。

“UFS 4.0 提供每通道高达 23.2Gbps 的速度，是之前的 UFS 3.1 的两倍。如此大的带宽非常适合需要大量数据处理的 5G 智能手机，也有望在未来的汽车应用、AR 和 VR 中采用。”

在效率上，4.0标准领先，落后3.0标准。三星声称，通过 UFS 4.0 标准，与上一代 3.0 相比，它们在顺序读取速度方面的功耗降低了 46%。总带宽也增加到了 23.2。每通道 Gbps，是 3.0 标准的两倍。

UFS 4.0 标准的效率也更高，三星声称与上一代相比，在顺序读取速度方面节能 46%。此外。UFS 4.0 将总带宽提高到每通道 23.2Gbps，是 UFS 3.1 最大限制的两倍。

在 UFS 4.0 上这些惊人的速度的帮助下，应用程序也将更积极地响应并更快地打开。预计这将与 Apple 在其 iPhone 上使用的 NVMe 存储相提并论。